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93L425A

更新时间: 2024-01-03 13:04:26
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美国国家半导体 - NSC 存储
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6页 129K
描述
1024 X 1-BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY

93L425A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP16,.3
针数:16Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.52最长访问时间:60 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T16JESD-609代码:e0
长度:19.05 mm内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:1
功能数量:1端子数量:16
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:75 °C
最低工作温度:组织:1KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:SERIAL电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
子类别:SRAMs最大压摆率:0.065 mA
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL EXTENDED
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

93L425A 数据手册

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