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93479DC

更新时间: 2024-02-02 18:33:59
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美国国家半导体 - NSC 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
7页 153K
描述
256 x 9-Bit Static Random Access Memory

93479DC 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:QCCN,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:60 nsJESD-30 代码:S-CQCC-N28
长度:11.43 mm内存密度:2304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:9
功能数量:1端子数量:28
字数:256 words字数代码:256
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:256X9
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.93 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:TTL
温度等级:MILITARY端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
宽度:11.43 mmBase Number Matches:1

93479DC 数据手册

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