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2SC3369

更新时间: 2024-02-24 03:25:54
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美国国家半导体 - NSC /
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1页 60K
描述
Si NPN Epitaxial Planar

2SC3369 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DISK BUTTON, O-XRDB-F4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.89
外壳连接:EMITTER最大集电极电流 (IC):0.3 A
基于收集器的最大容量:6 pF集电极-发射极最大电压:16 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:O-XRDB-F4
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:140 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SC3369 数据手册

  

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