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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N508 | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 10V 0.02A 4-Pin TO-72 |
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| 2N5081 | NJSEMI | N.P.N SILICON HIGH FREQUENCY |
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| 2N5083 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AA |
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| 2N5084 | ETC | COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES |
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| 2N5085 | ETC | COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES |
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| 2N5086 | SAMSUNG | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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