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2N4423

更新时间: 2024-01-06 21:09:50
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美国国家半导体 - NSC /
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1页 31K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,12V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-92VAR

2N4423 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.83
最大集电极电流 (IC):0.2 A集电极-发射极最大电压:12 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JESD-30 代码:O-PBCY-W3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:140 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.36 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):400 MHz最大关闭时间(toff):50 ns
最大开启时间(吨):40 nsBase Number Matches:1

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