5秒后页面跳转
2N3578 PDF预览

2N3578

更新时间: 2024-01-13 16:37:17
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC /
页数 文件大小 规格书
1页 76K
描述
TRANSISTOR,JFET,P-CHANNEL,4.5MA I(DSS),TO-18

2N3578 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.84
FET 技术:JUNCTION最高工作温度:200 °C
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.3 W
子类别:FET General Purpose Small Signal表面贴装:NO
Base Number Matches:1

2N3578 数据手册

  

与2N3578相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N3579 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-46

获取价格

2N357A ETC TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | TO-5

获取价格

2N358 ETC TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5

获取价格

2N3580 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-46

获取价格

2N3581 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-46

获取价格

2N3582 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-46

获取价格