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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.48 | 配置： | SINGLE |
| 最大漏源导通电阻： | 300 Ω | FET 技术： | JUNCTION |
| JEDEC-95代码： | TO-72 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3384 | NJSEMI | P-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
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| 2N3386 | NSC | TRANSISTOR,JFET,P-CHANNEL,50MA I(DSS),TO-72 |
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| 2N3386 | NJSEMI | P-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
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| 2N3388 | CENTRAL | Small Signal Transistors |
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| 2N3388LEADFREE | CENTRAL | 暂无描述 |
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| 2N3389 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 7MA I(C) | TO-5 |
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