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2N3367

更新时间: 2024-02-03 17:55:53
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美国国家半导体 - NSC /
页数 文件大小 规格书
1页 41K
描述
TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,50UA I(DSS),TO-18

2N3367 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.69
FET 技术:JUNCTIONJESD-609代码:e0
最高工作温度:175 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.3 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

2N3367 数据手册

  

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