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1N626

更新时间: 2024-02-21 15:32:47
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美国国家半导体 - NSC 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 37K
描述
RECTIFIER DIODE,50V V(RRM),DO-35

1N626 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.53
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.5 VJEDEC-95代码:DO-7
JESD-30 代码:O-XALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.005 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:50 V
最大反向恢复时间:1 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N626 数据手册

  
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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