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1N625

更新时间: 2024-02-24 21:38:23
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美国国家半导体 - NSC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
1页 139K
描述
Diode Data

1N625 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.77
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.5 V
JESD-30 代码:O-GALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.02 A封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.2 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:30 V
最大反向恢复时间:1 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N625 数据手册

  

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