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1N4149

更新时间: 2024-01-28 23:33:56
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美国国家半导体 - NSC 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 139K
描述
Diode Data

1N4149 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:DO-35
针数:2Reach Compliance Code:compliant
风险等级:3.79Samacsys Description:ON SEMICONDUCTOR - 1N4149TR - DIODE, SMALL SIGNAL, 100V, DO-204AH
配置:SINGLE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:4 A元件数量:1
最高工作温度:175 °C最大输出电流:0.5 A
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向恢复时间:0.004 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)Base Number Matches:1

1N4149 数据手册

  

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