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1N3600

更新时间: 2024-01-31 03:16:38
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美国国家半导体 - NSC 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 139K
描述
Diode Data

1N3600 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.64
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2最大非重复峰值正向电流:4 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:50 V最大反向电流:0.1 µA
最大反向恢复时间:0.006 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N3600 数据手册

  

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