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2N6898

更新时间: 2024-01-12 20:48:08
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NJSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
2页 285K
描述
POWER MOS FIELD-EFFECT TRANSISTORS

2N6898 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.31Is Samacsys:N
其他特性:RADIATION HARDENED外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):25 A最大漏源导通电阻:0.2 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):500 pF
JEDEC-95代码:TO-204AEJESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:P-CHANNEL
功耗环境最大值:150 W最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A
认证状态:Not Qualified参考标准:MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):650 ns
最大开启时间(吨):300 nsBase Number Matches:1

2N6898 数据手册

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