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2N6802

更新时间: 2024-02-17 15:05:41
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NJSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 179K
描述
POWER MOS FIELD-EFFECT TRANSISTORS

2N6802 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.19
Is Samacsys:N配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):2.5 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度:150 °C峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):25 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

2N6802 数据手册

  

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