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2N6782

更新时间: 2024-01-16 17:03:20
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NJSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
2页 243K
描述
N-CHANNEL POWER MOSFET ENHANCEMENT MODE

2N6782 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:LCC包装说明:CHIP CARRIER, R-CQCC-N15
针数:18Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.61
Is Samacsys:N外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):3.5 A最大漏源导通电阻:0.61 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-CQCC-N15
JESD-609代码:e4元件数量:1
端子数量:15工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER峰值回流温度(摄氏度):250
极性/信道类型:N-CHANNEL表面贴装:YES
端子面层:GOLD OVER NICKEL端子形式:NO LEAD
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N6782 数据手册

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