是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.92 |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 12 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码: | e0 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 150 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6768 | MICROSEMI | N-CHANNEL MOSFET |
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2N6768 | IXYS | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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2N6768 | NJSEMI | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE |
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2N6768 | SEME-LAB | N-CHANNEL POWER MOSFET |
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2N6768 | FAIRCHILD | N-Channel Power MOSFETs, 15A, 350V/400V |
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2N6768 | INFINEON | 400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AE package - A 2N6768 with Hermetic Packagi |
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