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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.72 |
| JESD-609代码： | e0 | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 端子面层： | TIN LEAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5883/D | ETC | Complementary Silicon High-Power Transistors |
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| 2N5883E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N5883G | ONSEMI | Complementary Silicon High−Power Transistors |
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| 2N5883LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N5884 | NJSEMI | POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
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| 2N5884 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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