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2N5878

更新时间: 2024-02-16 16:48:15
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NJSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 113K
描述
SI NPN POWER BJT

2N5878 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.7外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):10 A基于收集器的最大容量:300 pF
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):4JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):150 W
最大上升时间(tr):700 ns表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4 MHz最大关闭时间(toff):1800 ns
VCEsat-Max:3 VBase Number Matches:1

2N5878 数据手册

  

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