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2N5665

更新时间: 2024-01-10 04:06:14
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1页 73K
描述
SILICON PLANAR NPN POWER TRANSISTORS

2N5665 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-276AB
包装说明:CHIP CARRIER, R-CBCC-N3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.41外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:300 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):25
JEDEC-95代码:TO-276ABJESD-30 代码:R-CBCC-N3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):20 MHz

2N5665 数据手册

  

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