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2N5629

更新时间: 2024-02-07 20:49:33
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NJSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 255K
描述
POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

2N5629 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.58
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):16 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):25
最高工作温度:200 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):200 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO标称过渡频率 (fT):1 MHz
Base Number Matches:1

2N5629 数据手册

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