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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N5533

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2N5533

更新时间： 2024-02-27 18:26:52

品牌	Logo	应用领域
NJSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	91K
描述
RADIATION RESISTANT SILICON NPN POWER TRANSISTOR

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2N5533 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	10 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	30	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	35 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2N5533 数据手册

1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5534	NJSEMI	Trans GP BJT NPN 130V 20A 3-Pin TO-63	获取价格
2N5535	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| TO-210AC	获取价格
2N5536	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| TO-210AC	获取价格
2N5537	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 75V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| TO-210AC	获取价格
2N5538	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 75V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| TO-210AC	获取价格
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