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2N5406

更新时间: 2024-02-12 08:21:47
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NJSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 133K
描述
PNP POWER TRANSISTORS

2N5406 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-5
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.4Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):5 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JEDEC-95代码:TO-5JESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:200 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):40 MHz
最大关闭时间(toff):1300 nsBase Number Matches:1

2N5406 数据手册

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