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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TO-111 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.45 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-111 | JESD-30 代码： | O-MUPM-X |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5385 | NJSEMI | P-N-P EPITAXIAL PLANAR SILICON POWER TRANSISTORS |
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| 2N5385 | TI | 5A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-111 |
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| 2N5385 | APITECH | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-111, Metal, 3 |
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| 2N5386 | TI | 12A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
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| 2N5387 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 7.5A I(C) | TO-210AC |
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| 2N5388 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 7.5A I(C) | TO-210AC |
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