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2N5001

更新时间: 2024-01-19 23:54:36
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NJSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 129K
描述
30 WATT PNP POWER TRANSISTOR

2N5001 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Active
包装说明:HERMETICALLY SEALED, CERAMIC, SMD1, 3 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.75
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):70
JEDEC-95代码:TO-276ABJESD-30 代码:R-CBCC-N3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):60 MHz
Base Number Matches:1

2N5001 数据手册

  

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