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2N2811

更新时间: 2024-01-06 01:44:47
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NJSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
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1页 146K
描述
SILICON PLANAR NPN POWER TRANSISTORS

2N2811 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.46
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-61
JESD-30 代码:O-MUPM-D3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:175 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):70 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):30 MHz
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

2N2811 数据手册

  

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