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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.91 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 75 | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N2109 | APITECH | Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2110 | APITECH | Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2111 | APITECH | Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2112 | APITECH | Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2113 | APITECH | Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2114 | APITECH | Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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