5秒后页面跳转
2N1690 PDF预览

2N1690

更新时间: 2024-01-30 02:50:55
品牌 Logo 应用领域
NJSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 120K
描述
POWER TRANSISTORS

2N1690 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-57
包装说明:TO-57, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.57最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JESD-30 代码:O-MBPM-W3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:200 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:40 W
最大功率耗散 (Abs):1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):0.09 MHz
VCEsat-Max:7.5 V

2N1690 数据手册

  

与2N1690相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N1691 NJSEMI POWER TRANSISTORS

获取价格

2N1692 ETC silicon transistors UHF/VHF power transistors

获取价格

2N1693 ETC silicon transistors UHF/VHF power transistors

获取价格

2N169A ETC alloy-junction germanium transistors

获取价格

2N170 ETC alloy-junction germanium transistors

获取价格

2N1700 NJSEMI NPN TO-39/TO-5

获取价格