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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-5 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.4 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 35 V | 配置： | SINGLE |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N1026 | NJSEMI | GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTOR |
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| 2N1026A | NJSEMI | 暂无描述 |
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| 2N1027 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
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| 2N1028 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
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| 2N1031 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-41 |
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| 2N1031A | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-41 |
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