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GSF10A40

更新时间： 2024-01-25 23:18:16

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NIEC		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	34K
描述
Low Forward Voltage drop Diode

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GSF10A40 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SIMILAR TO TO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.72
其他特性：	LOW POWER LOSS	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.3 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	120 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	400 V	最大反向恢复时间：	0.045 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE

GSF10A40 数据手册

FRD Type : GSF10A40

OUTLINE DRAWING

FEATURES

* Similar to TO-220AB Case

* Ultra – Fast Recovery

* Low Forward Voltage Drop

* Low Power Loss, High Efficiency

* High Surge Capability

* 200 Volts thru 600 Volts Types Available

Maximum Ratings

Approx Net Weight:1.85g

GSF10A40

Symbol

Rating

Unit

Repetitive Peak Reverse Voltage

Non-repetitive Peak Reverse Voltage

V_RRM

V_RSM

400

440

50 Hz Half Sine Wave

Resistive Load

15.7

Average Rectified Output Current

RMS Forward Current

I_O

Tc=95°C

I_F(RMS)

I_FSM

50 Hz Half Sine Wave,1cycle

Non-repetitive

Surge Forward Current

120

Operating JunctionTemperature Range

Storage Temperature Range

Mounting torque

Tjw

Tstg

- 40 to + 150

0.5 Recommended value

°C

N•m

Electrical • Thermal Characteristics

Symbol

Conditions

Min. Typ. Max. Unit

Characteristics

Peak Reverse Current

Peak Forward Voltage

Reverse Recovery Time

Thermal Resistance

I_RM

V_FM

Tj= 25°C, V_RM= V_RRM

Tj= 25°C, I_FM= 10A

I_FM= 10A,

1.30

µA

trr

-di/dt= 50 A/µs, Ta= 25°C

Rth(j-c) Junction to Case

°C/W

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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GSF10A60	NIEC	FRD	获取价格
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