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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大直流栅极触发电流： | 150 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 | 最大漏电流： | 30 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 6000 A | 端子数量： | 3 |
| 最大通态电流： | 470000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -45 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 断态重复峰值电压： | 300 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置： | UPPER |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 309RW40 | NIEC | Silicon Controlled Rectifier, 470000mA I(T), 400V V(DRM) |
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| 309RW40L | NIEC | Silicon Controlled Rectifier, 470000mA I(T), 400V V(DRM) |
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| 309U | INFINEON | STANDARD RECOVERY DIODES |
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| 309U120 | INFINEON | DIODE 330 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB, Rectifier Diode |
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| 309U120P2 | INFINEON | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 330A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AB, |
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| 309U120P2PBF | INFINEON | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 330A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AB, |
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