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29RD80

更新时间: 2024-01-16 08:08:50
品牌 Logo 应用领域
NIEC 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 77K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 40000mA I(T), 800V V(DRM)

29RD80 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.83
关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us最大直流栅极触发电流:50 mA
最大直流栅极触发电压:2.5 VJESD-30 代码:O-MUPM-D2
最大漏电流:10 mA通态非重复峰值电流:500 A
端子数量:2最大通态电流:40000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
断态重复峰值电压:800 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

29RD80 数据手册

  

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