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258RT200

更新时间: 2024-02-17 09:19:32
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NIEC /
页数 文件大小 规格书
3页 292K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 390000mA I(T), 2000V V(DRM),

258RT200 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.71
关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us最大直流栅极触发电流:200 mA
最大直流栅极触发电压:3 VJESD-30 代码:O-MUPM-H3
最大漏电流:80 mA通态非重复峰值电流:4600 A
端子数量:3最大通态电流:390000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
断态重复峰值电压:2000 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

258RT200 数据手册

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