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21DQ09TA2B1

更新时间: 2024-01-13 18:57:37
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NIEC /
页数 文件大小 规格书
1页 162K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 90V V(RRM), Silicon,

21DQ09TA2B1 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.74
应用:EFFICIENCY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.85 V
JESD-30 代码:O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流:70 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:1.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:90 V最大反向电流:1000 µA
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

21DQ09TA2B1 数据手册

  

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