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21DQ09

更新时间: 2024-01-18 19:57:04
品牌 Logo 应用领域
NIEC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 28K
描述
Low Forward Voltage drop Diode

21DQ09 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.74
Is Samacsys:N应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流:73 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最大输出电流:1.7 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:90 V
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

21DQ09 数据手册

 浏览型号21DQ09的Datasheet PDF文件第2页 
SBD Type : 21DQ09  
OUTLINE DRAWING  
FEATURES  
* Miniature Size  
* Low Forward Voltage Drop  
* Low Power Loss, High Efficiency  
* High Surge Capability  
* 30volts trough 100volts Types Available  
* 52mm Inside Tape Spacing Package Available  
Maximum Ratings  
Approx Net Weight:0.38g  
Symbol  
VRRM  
21DQ09  
90  
Unit  
V
Rating  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Without Fin or  
1.3 Ta=32°C  
Average Rectified  
Output Current  
P.C.Board  
P.C.Board  
Mounted *  
IO  
Half Sine Wave Resistive Load  
A
1.7 Ta=47°C  
RMS Forward Current  
Surge Forward Current  
Operating JunctionTemperature Range  
Storage Temperature Range  
IF(RMS)  
IFSM  
Tjw  
2.67  
A
A
°C  
°C  
70 Half Sine Wave,1cycle,Non-repetitive  
- 40 to + 150  
Tstg  
- 40 to + 150  
Electrical Thermal Characteristics  
Symbol  
Conditions  
Min Typ Max  
Unit  
Characteristics  
Peak Reverse Current  
Peak Forward Voltage  
IRM  
VFM  
-
-
-
-
1
mA  
V
Tj= 25°C, VRM= VRRM  
Tj= 25°C, IFM= 2 A  
Without Fin or P.C.Board  
P.C.Board mounted *  
0.85  
105  
70  
Thermal Resistance(Junction to Ambient) Rth(j-a)  
* :Print Lands = 5x5 mm,Both Sides  
-
-
°C/W  

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