20KDA20

更新时间： 2024-02-14 13:14:32

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NIEC		整流二极管
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5页	90K
描述
Diffusion-type Sillicon Rectifier Diode

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20KDA20 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	75 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	1.7 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

20KDA20 数据手册

拡散型シリコンダイオード

Diffusion-type Silicon Rectifier Diode

Axial Lead Type

2.0 A200V T_jw150℃

外形図

20KDA20

構造

Construction

用途

拡散型シリコンダイオード,リード線型

Diffusion-type Silicon Rectifier Diode

一般整流用

Application

For General Use

質量：0.38ｇ

■最大定格 MAXIMUM RATINGS

Item

Symbol

VRRM

Condition

Max. Rated value

Unit

くり返しピーク逆電圧

Repetitive peak reverse voltage

200

50Hz 正弦半波

50Hz half sine wave

抵抗負荷

Ta = 34℃

Tl = 115℃

1.7

2.0

平均整流電流

Average rectified forward current

Resistance load

実効順電流

R.M.S. forward current

IF(RMS)

IFSM

Tjw

3.14

50Hz 正弦半波 1 サイクル非くり返し

50Hz half sine wave 1cycle, non-repetitive

サージ順電流

Surge forward current

動作接合温度範囲

Operating junction temperature range

－40～+150

℃

保存温度範囲

Storage temperature range

Tstg

■ 電気的・熱的特性 ELECTRICAL / THERMAL CHARACTERISTICS

Item

Symbol

IRM

Condition

Min.

Typ.

Max.

Unit

ピーク逆電流

Tj=25℃

VRM=VRRM

IFM=2.0A

－

μA

Peak reverse current

ピーク順電圧

Tj=25℃

－

VFM

1.0

Peak forward voltage

接合部・周囲間

*1(プリント基板実装

)

Rth(j-a)

Rth(j-l)

Junction to Ambient

熱抵抗

℃/W

Thermal resistance

接合部・リード間

Junction to Lead

*1：プリント基板実装／ P.C. Board mounted (L=8mm,Print Land=15×15mm,Both Sides)

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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