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20KDA10

更新时间： 2024-01-07 00:02:18

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页数	文件大小	规格书
5页	44K
描述
Miniature Size, Low Forward Voltage drop

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20KDA10 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-XALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	O-XALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	75 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	1.7 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

20KDA10 数据手册

ｓ

DIODE Type : 20KDA10

OUTLINE DRAWING

2A 100V Tj =150 °C

FEATURES

* Miniature Size

* Low Forward Voltage drop

* Low Reverse Leakage Current

* High Surge Capability

* 52mm Inside Tape Spacing Package Available

Maximum Ratings

Approx Net Weight:0.38g

Symbol

V_RRM

20KDA10

100

Unit

Rating

Repetitive Peak Reverse Voltage

50Hz

Ta=34°C *1

1.7

Average Rectified Output Current

I_O

Half Sine Wave

Resistive Load

Tl=115°C

(Tl: Lead Temperature)

2.0

3.14

RMS Forward Current

Surge Forward Current

I_F(RMS)

50Hz Half Sine Wave,1cycle,

Non-repetitive

I_FSM

Operating JunctionTemperature Range

Storage Temperature Range

T_jw

T_stg

- 40 to + 150

°C

Electrical • Thermal Characteristics

Symbol

Conditions

Min. Typ. Max. Unit

Characteristics

Peak Reverse Current

Peak Forward Voltage

I_RM

V_FM

1.0

Tj= 25°C, V_RM= V_RRM

Tj= 25°C, I_FM= 2.0A

µA

Rth(j-a) Junction to Ambient *1

Rth(j-l) Junction to Lead

Thermal Resistance

°C/W

*1: Without Fin or P.C. Board mounted (L=8mm, Print Land=15 x 15mm, Both Sides)

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