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208RLE10

更新时间： 2024-01-29 01:53:58
品牌 Logo 应用领域
NIEC 栅栅极
页数 文件大小 规格书
3页 292K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 310000mA I(T), 100V V(DRM)

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208RLE10 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.72
标称电路换相断开时间：15 µs关态电压最小值的临界上升速率：100 V/us
最大直流栅极触发电流：150 mA最大直流栅极触发电压：3 V
JESD-30 代码：O-MUPM-H3最大漏电流：20 mA
通态非重复峰值电流：4000 A端子数量：3
最大通态电流：310000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-45 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
认证状态：Not Qualified断态重复峰值电压：100 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子形式：HIGH CURRENT CABLE端子位置：UPPER
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

208RLE10 数据手册

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