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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.69 |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 150 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 |
| 最大漏电流： | 20 mA | 通态非重复峰值电流： | 3500 A |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 235000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -45 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 断态重复峰值电压： | 200 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 158RP40 | NIEC | Silicon Controlled Rectifier, 235000mA I(T), 400V V(DRM), |
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| 158RP60 | NIEC | Silicon Controlled Rectifier, 235000mA I(T), 600V V(DRM), |
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| 158RP80 | NIEC | Silicon Controlled Rectifier, 235000mA I(T), 800V V(DRM), |
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| 158RT180 | NIEC | Silicon Controlled Rectifier, 235000mA I(T), 1800V V(DRM), |
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| 158RT200 | NIEC | Silicon Controlled Rectifier, 235000mA I(T), 2000V V(DRM), |
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| 158RT250 | NIEC | Silicon Controlled Rectifier, 235000mA I(T), 2500V V(DRM), |
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