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11RC20

更新时间: 2024-01-14 01:29:14
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NIEC 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 77K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 16000mA I(T), 200V V(DRM)

11RC20 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.84
标称电路换相断开时间:25 µs关态电压最小值的临界上升速率:20 V/us
最大直流栅极触发电流:40 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大维持电流:20 mAJESD-30 代码:O-MUPM-D2
最大漏电流:6 mA通态非重复峰值电流:125 A
端子数量:2最大通态电流:16000 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
断态重复峰值电压:200 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

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