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11ES8TA1B2

更新时间: 2024-02-28 22:20:46
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NIEC 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 56K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.98A, 800V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKAGE-2

11ES8TA1B2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.76外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:0.98 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:800 V
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

11ES8TA1B2 数据手册

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