11ES4

更新时间： 2024-02-25 20:21:52

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NIEC		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
DIODE

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11ES4 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	最大非重复峰值正向电流：	45 A
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.98 A	最大重复峰值反向电压：	400 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

11ES4 数据手册

ｓ

DIODE Type : 11ES4

FEATURES

OUTLINE DRAWING

* Miniature Size

* Low Forward Voltage drop

* Low Reverse Leakage Current

* High Surge Capability

* 26mm and 52mm Inside Tape Spacing Package

Available

Maximum Ratings

Approx Net Weight:0.17g

11ES4

Symbol

Unit

Rating

Repetitive Peak Reverse Voltage

Non-repetitive Peak Reverse Voltage

V_RRM

V_RSM

400

600

0.98

1.0

Ta=25°C *1

Ta=50°C *2

50Hz Half Sine

Wave Resistive Load

Average Rectified Output Current

RMS Forward Current

I_O

I_F(RMS)

I_FSM

1.57

50Hz Half Sine Wave,1cycle,

Non-repetitive

Surge Forward Current

Operating JunctionTemperature Range

Storage Temperature Range

T_jw

T_stg

- 40 to + 150

°C

Electrical • Thermal Characteristics

Symbol

Conditions

Min. Typ. Max.

Unit

Characteristics

Peak Reverse Current

Peak Forward Voltage

I_RM

V_FM

1.0

140

110

Tj= 25°C, V_RM= V_RRM

Tj= 25°C, I_FM= 1.0A

µA

Thermal Resistance

Rth(j-a) Junction to Ambient

°C/W

*1:Without Fin or P.C. Board

*2:P.C. Board Mounted (L=3mm,Print Land=5x5mm,Both Sides)

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