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11EQS10

更新时间: 2024-02-17 21:45:35
品牌 Logo 应用领域
NIEC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 27K
描述
SBD

11EQS10 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:MINIATURE PACKAGE-2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.4Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.85 VJESD-30 代码:O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流:40 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

11EQS10 数据手册

 浏览型号11EQS10的Datasheet PDF文件第2页 
SBD Type :11EQS10  
OUTLINE DRAWING  
FEATURES  
* Miniature Size  
* Low Forward Voltage Drop  
* High Surge Capability  
* 30volts trough 100volts Types Available  
* 26mm and 52mm Inside Tape Spacing Package Available  
Maximum Ratings  
Approx Net Weight:0.17g  
Symbol  
VRRM  
11EQS10  
100  
Unit  
V
Rating  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Without Fin or  
1.0 Ta=26°C  
Average Rectified  
Output Current  
P.C.Board  
P.C.Board  
Mounted *  
IO  
Half Sine Wave Resistive Load  
A
1.0 Ta=53°C  
RMS Forward Current  
Surge Forward Current  
Operating JunctionTemperature Range  
Storage Temperature Range  
IF(RMS)  
IFSM  
Tjw  
1.57  
A
A
°C  
°C  
40 Half Sine Wave,1cycle,Non-repetitive  
- 40 to + 150  
Tstg  
- 40 to + 150  
Electrical Thermal Characteristics  
Symbol  
Conditions  
Min Typ Max  
Unit  
Characteristics  
Peak Reverse Current  
Peak Forward Voltage  
IRM  
VFM  
-
-
-
-
0.5  
0.85  
140  
110  
mA  
V
Tj= 25°C, VRM= VRRM  
Tj= 25°C, IFM= 1 A  
Without Fin or P.C.Board  
P.C.Board mounted *  
Thermal Resistance(Junction to Ambient) Rth(j-a)  
* :Print Lands = 5x5 mm,Both Sides  
-
-
°C/W  

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