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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.74 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 1 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 90 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 11EQS09TA2B5 | NIEC | Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 90V V(RRM), Silicon, |
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| 11EQS10 | NIEC | SBD |
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| 11EQS10 | SUNMATE | 1A Plug-in Schottky diode 100V R-1 series |
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| 11EQS10 | KYOCERA AVX | Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers b |
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| 11EQS10_15 | NI | SBD |
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| 11EQS10_2015 | NI | SBD |
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