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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.51 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 1 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 11EQ10TA2B5 | NIEC | Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon |
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| 11EQS03 | SUNMATE | 1A Plug-in Schottky diode 30V R-1 series |
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| 11EQS03L | NIEC | Low Forward Voltage drop Diode |
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| 11EQS03L | KYOCERA AVX | Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers b |
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| 11EQS03LTA1B2 | NIEC | Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, |
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| 11EQS03LTA2B5 | NIEC | Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon |
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