5秒后页面跳转
11EQ09TA1B2 PDF预览

11EQ09TA1B2

更新时间: 2024-01-11 23:21:46
品牌 Logo 应用领域
NIEC /
页数 文件大小 规格书
1页 159K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 90V V(RRM), Silicon,

11EQ09TA1B2 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.72
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:90 V表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

11EQ09TA1B2 数据手册

  

与11EQ09TA1B2相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
11EQ09TA2B2 NIEC Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 90V V(RRM), Silicon,

获取价格

11EQ09TA2B5 NIEC Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 90V V(RRM), Silicon,

获取价格

11EQ10 NIEC SBD

获取价格

11EQ10_15 NI SBD

获取价格

11EQ10_2015 NI SBD

获取价格

11EQ10TA1B2 NIEC Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon

获取价格