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11EFS1

更新时间: 2024-01-28 12:00:10
品牌 Logo 应用领域
NIEC 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 59K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.8A, 100V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKAGE-2

11EFS1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.76外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.98 V
JESD-30 代码:O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流:30 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:0.8 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向恢复时间:0.03 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

11EFS1 数据手册

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