10ERB20

更新时间： 2024-01-04 17:48:13

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NIEC		整流二极管
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5页	76K
描述
FRD - 1A 200V 60ns

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10ERB20 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	0.035 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

10ERB20 数据手册

1A 200V 60ns

FRD Type :10ERB20

FEATURES

OUTLINE DRAWING

* Miniature Size

* Fast Recovery and Low Price

* High Surge Capability

* 100volts trough 600volts Types Available

* 26mm and 52mm Inside Tape Spacing

Maximum Ratings

Approx Net Weight:0.17g

Unit

Symbol

V_RRM

10ERB20

200

Rating

Repetitive Peak Reverse Voltage

1.0 Ta=50°C *1

0.9 Ta=27°C *2

Half Sine Wave

Resistive Load

Average Rectified Output Current

I_O

RMS Forward Current

Surge Forward Current

Operating JunctionTemperature Range

Storage Temperature Range

I_F(RMS)

I_FSM

Tjw

1.57

°C

45 Half Sine Wave,1cycle,Non-repetitive

- 40 to + 150

Tstg

- 40 to + 150

Electrical • Thermal Characteristics

Symbol

Conditions

Tj= 25°C, V_RM= V_RRM

Tj= 25°C, I_FM= 1 A

Min Typ Max

Unit

Characteristics

Peak Reverse Current

Peak Forward Voltage

Reverse Recovery Time

I_RM

V_FM

trr

1.03

µA

I_FM= 1 A, -di/dt= 50 A/µs, Ta= 25°C

*1 P.C. Board mounted

100

Junction

Thermal Resistance

Rth(j-a)

°C/W

*2 Without Fin or P.C.

to Ambient

140

Board mounted

1: P.C. Board mounted (L=3mm, Print Lands = 7x7 mm,Both Sides)

*2: Without Fin or P.C.Board mounted

12 3 4 5

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