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10EDB40

更新时间： 2024-01-28 22:39:51

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NIEC		二极管
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5页	38K
描述
DIODE - 1A 400V TJ = 150C

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10EDB40 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-XALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.81
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	45 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	0.9 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	400 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL

10EDB40 数据手册

ｓ

DIODE Type : 10EDB40

OUTLINE DRAWING

1A 400V Tj =150 °C

FEATURES

* Miniature Size

* Low Forward Voltage drop

* Low Reverse Leakage Current

* High Surge Capability

* 26mm and 52mm Inside Tape Spacing Package

Available

Maximum Ratings

Approx Net Weight:0.17g

Symbol

V_RRM

10EDB40

400

Unit

Rating

Repetitive Peak Reverse Voltage

50Hz

Half Sine Wave

Resistive Load

Ta=39°C *1

1.0

Average Rectified Output Current

I_O

Ta=26°C *2

0.9

RMS Forward Current

Surge Forward Current

I_F(RMS)

1.57

50Hz Half Sine Wave,1cycle,

Non-repetitive

I_FSM

Operating JunctionTemperature Range

Storage Temperature Range

T_jw

T_stg

- 40 to + 150

°C

Electrical • Thermal Characteristics

Symbol

Conditions

Min. Typ. Max. Unit

Characteristics

Peak Reverse Current

Peak Forward Voltage

I_RM

V_FM

1.0

110

140

Tj= 25°C, V_RM= V_RRM

Tj= 25°C, I_FM= 1.0A

Junction to P.C. Board mounted*1

µA

Thermal Resistance

Rth(j-a)

°C/W

Ambient

Without Fin *2

*1: P.C. Board mounted (L=3mm, Print Land=5 x 5mm, Both Sides)

*2: Without Fin or P.C. Board mounted

12 3 4 5

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