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10E2TA2B2

更新时间: 2024-02-06 13:46:33
品牌 Logo 应用领域
NIEC 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 52K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41

10E2TA2B2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-PALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

10E2TA2B2 数据手册

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