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10DF1TA2B5

更新时间: 2024-02-18 22:15:28
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NIEC 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 105K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon

10DF1TA2B5 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.71
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向恢复时间:0.2 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

10DF1TA2B5 数据手册

  

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